SK海力士宣布已經量產全球最高的海力321層1Tb TLC 4D NAND閃存，在數據傳輸速度以及能效上都帶來進一步提升。士量D閃上市

SK海力士宣布已經量產全球最高的產層存明321層1Tb TLC 4D NAND閃存，并計劃于2025年上半年開始供應，年上以響應市場的半年需求。相比上一代238層NAND閃存，海力數據傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、士量D閃上市13%，產層存明并且數據讀取能效也提高10%以上。年上

SK海力士表示，率先推出了超過300層的海力NAND閃存，再一次突破了技術界限。士量D閃上市這次的產層存明新產品積極應對了面向人工智能（AI）的低功耗、高性能新市場，年上并逐漸擴大其應用范圍。半年SK海力士在這次產品開發過程中采用了高生產效率的“3-Plug”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經過優化的后續工藝將3個通孔進行電氣連接。在其過程中開發出了低變形材料，引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。SK海力士的技術團隊也將上一代238層NAND閃存的開發平臺應用于321層新品，由此最大限度地減少了工藝變化，相比上一代產品的生產效率提升了59%。

SK海力士NAND閃存開發擔當副社長崔正達表示：“公司率先投入300層以上的NAND閃存量產，在攻占用于AI數據中心的固態硬盤、端側AI等面向AI的存儲市場方面占據了有利地位。由此公司不僅在HBM為代表的DRAM，在NAND閃存領域也具備超高性能存儲器產品組合，將躍升為‘全方位面向AI的存儲器供應商’。”